| 退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 江锡顺,万东升,宋学萍,孙兆奇. 退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1536-1540 |
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| 作者姓名： | 江锡顺 万东升 宋学萍 孙兆奇 |
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| 作者单位： | 滁州学院电子信息工程系,滁州,239000;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50872001); 教育部博士点专项基金(20060357003); 安徽省自然科学研究项目(KJ2010B148) |
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| 摘 要： | ![]()
用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1h.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析.分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体.退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率.退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3 Ω-1.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 光电特性, |
Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Photoelectrical Properties of ITO Films |
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| JIANG Xi-shun , WAN Dong-sheng , SONG Xue-ping , SUN Zhao-qi. Effect of Annealing Temperature on the Microstructure and Photoelectrical Properties of ITO Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1536-1540 |
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| Authors: | JIANG Xi-shun WAN Dong-sheng SONG Xue-ping SUN Zhao-qi |
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| Affiliation: | JIANG Xi-shun1,WAN Dong-sheng1,SONG Xue-ping2,SUN Zhao-qi2(1.Department of Electronic Information Engineering,Chuzhou University,Chuzhou 239000,China,2.School of Physics & Material Science,Anhui University,Hefei 230039,China) |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ITO film magnetron sputtering photoelectrical properties |
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