SIMP钢中H对He热解吸行为的影响研究（英文）

为了初步理解核用结构材料中H对He行为的影响,以He离子单独辐照和He和H离子连续辐照作为对比,利用热释放谱(TDS)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了SIMP中H对He的热解吸和滞留行为的影响。TDS结果表明:He释放的主峰主要出现在1 198～1 222 K之间,对应于气泡的迁移释放机制。相对于He单独辐照,H的附加辐照使得He的释放峰向低温移动,且释放量增大。即H促进了He的热解吸。另外,H对He热解吸的促进作用与H的辐照剂量有关。当H注入的峰值浓度(原子分数)从5%增加到50%时,这种促进作用有所减弱。结合TEM和SEM结果发现:H的存在促进了TDS加热过程中材料表面的起泡行为,从而加速了He以气泡迁移机制释放的过程。