| 沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响 |
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| 引用本文： | 宁来元,金,腾,李晓静,于盛旺,申艳艳,唐伟忠,贺志勇.沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响[J].人工晶体学报,2014,43(4):784-789. |
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| 作者姓名： | 宁来元 金 腾 李晓静 于盛旺 申艳艳 唐伟忠 贺志勇 |
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| 作者单位： | 太原理工大学表面工程研究所,太原,030024;中国兵器科学研究院宁波分院,宁波,315103;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 太原理工大学研究生创新基金(2013B099);山西省自然科学基金(2013011012-4);山西省回国留学人员科研资助项目(2013-048) |
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| 摘 要： | 采用MPCVD法,以氢气和四甲基硅烷为先驱气体,YG6硬质合金刀片为基体材料,在不同沉积温度下制备了SiC涂层;并选用致密连续且附着性能优良的SiC涂层作为过渡层制备金刚石涂层.使用场发射扫描电镜、能谱仪和掠X射线衍射仪对SiC涂层和金刚石涂层的形貌和组成进行了分析,并对SiC涂层和金刚石涂层的附着力进行测试.结果表明,随着沉积温度升高,SiC涂层先由团聚在一起的β-SiC微晶相先转变为颗粒状和片状β-SiC,进而转变为团聚在一起的非晶态的SiC晶须;SiC涂层的厚度呈递增、致密度呈现先增强后减弱、表面粗糙度整体呈现先减小后增大、附着力呈先升高后降低的趋势.沉积温度为800℃时制备的片状SiC涂层与硬质合金基体有着良好的结合强度,将其作为过渡层时,能够在硬质合金表面制备出均匀、连续、致密的且附着力良好的金刚石涂层.
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| 关 键 词： | SiC过渡层 金刚石涂层 沉积温度 硬质合金 |
Effects of Temperature on SiC Interlayers on Cemented Carbide Substrates Deposited by MPCVD |
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| NING Lai-yuan,JIN Teng,LI Xiao-jing,YU Sheng-wang,SHEN Yan-yan,TANG Wei-zhong,HE Zhi-yong.Effects of Temperature on SiC Interlayers on Cemented Carbide Substrates Deposited by MPCVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(4):784-789. |
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| Authors: | NING Lai-yuan JIN Teng LI Xiao-jing YU Sheng-wang SHEN Yan-yan TANG Wei-zhong HE Zhi-yong |
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