首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     


Erratum to "Quantum compact model for thin-body double-gate Schottky barrier MOSFETs"
Authors:Luan Su-Zhen and Liu Hong-Xia
Affiliation:School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi'an 710071, China
Abstract:
Keywords:Schottky barrier  quantum mechanism effect  effective mass  electron density
本文献已被 维普 等数据库收录!
点击此处可从《中国物理 B》浏览原始摘要信息
点击此处可从《中国物理 B》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号