| 磁电子学器件应用原理 |
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| 引用本文： | 蔡建旺.磁电子学器件应用原理[J].物理学进展,2006,26(2):180-227. |
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| 作者姓名： | 蔡建旺 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号:50471055)，科技部国家重点基础研究资助，中国科学院“百人计划”资助 |
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| 摘 要： | 本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。
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| 关 键 词： | 凝聚态物理学 磁电子学器件 综述 巨磁电阻 隧穿磁电阻 自旋转移 |
| 文章编号： | 1000-0542（2006）02-0180-48 |
| 收稿时间： | 2006-04-26 |
| 修稿时间： | 2006年4月26日 |
NOTES ON SPINTRONIC DEVICES |
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| CAI Jian-wang.NOTES ON SPINTRONIC DEVICES[J].Progress In Physics,2006,26(2):180-227. |
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| Authors: | CAI Jian-wang |
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| Institution: | State Key Laboratory of Magnetism, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, P, R, China |
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| Abstract: | In this article,a survey of the applications for giant-magnetoresistance(GMR) and tunneling magnetoresistance(TMR) as well as spin transfer is presented with the emphasis on the operative physical properties of the spintronic devices,including magnetic field sensors,galvanic isolators,read heads,random access memories,spin transfer switches and spin torque nano-oscillators.Desirable GMR and TMR materials involved in the device operation are discussed.Three-terminal spintronic devices,i.e.,spin transistors,are also reviewed with the focus on the basic physical principles for these pure research devices at present. |
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| Keywords: | condensed matter physics spintronic device review GMR TMR spin transfer |
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