| 不同[Cu]/[In]比例的CuInS2薄膜的特性 |
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| 引用本文： | Mutlu Kundak??. 不同[Cu]/[In]比例的CuInS2薄膜的特性[J]. 化学物理学报, 2010, 23(5): 582-586 |
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| 作者姓名： | Mutlu Kundak?? |
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| 作者单位： | 土耳其阿塔图尔克大学理学院物理系，埃尔祖鲁姆 |
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| 摘 要： | 采用连续离子层吸附与反应方法在玻璃基板上按照不同[Cu]/[In]的比例制备了CuInS2薄膜，并在400 °C退火30 min. 对薄膜的晶体结构和晶粒尺寸用X射线衍射方法进行了表征，原子力显微镜测定薄膜的表面形貌. 研究不同的[Cu]/[In]比例对薄膜光学和电学性能的影响. 采用直流两探针法在300～470 °C测定CuInS2薄膜的电阻率，随着[Cu]/[In]比例的增加，电阻率值越来越低. 溶液中[Cu]/[In]的比例明显影响CuInS2薄膜的结构、电学和光学特性.
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| 关 键 词： | 薄膜，连续离子层吸附与反应方法，黄铜矿类化合物 |
| 收稿时间： | 2010-03-06 |
Characterization of CuInS2 Thin Films with Different Cu/In Ratio |
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| Mutlu Kundak??. Characterization of CuInS2 Thin Films with Different Cu/In Ratio[J]. Chinese Journal of Chemical Physics, 2010, 23(5): 582-586 |
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| Authors: | Mutlu Kundak?? |
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| Affiliation: | Department of Physics, Science Faculty, Atatürk University, Erzurum, Turkey |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Thin film Successive ionic layer adsorption Chalcopyrite compound |
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