| Effects of Single Vacancy on Electronic and Optical Properties for γ-Si3N4 |
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| 作者姓名： | 丁迎春 向安平 何修军 朱兴华 胡晓飞 |
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| 作者单位： | 成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225;成都信息工程学院光电技术系,成都610225 |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了中性单点缺陷γ-Si3N4的能量、电子结构和光学性质. N缺陷的结合能和形成能比Si(8)和Si(4)位的都低,显示γ-Si3N4中N缺陷更易形成. 分析了各种缺陷情况下相应的态密度. Si缺陷能形成p型半导体,N缺陷使材料形成间接带隙的n型半导体. Si缺陷情况下,物质有相对大的静态介电常数,在可见光区和红外区,吸收和反射得到显著改善,但是N缺陷却没什么影响.
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| 关 键 词： | γ-Si3N4 缺陷 光学性质 |
| 收稿时间： | 2010-01-01 |
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