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Al膜平整度对硅基AAO有序度的影响
引用本文:李芹,张海明,胡国锋,高波,朱彦君,李菁.Al膜平整度对硅基AAO有序度的影响[J].武汉大学学报(理学版),2011,57(1).
作者姓名:李芹  张海明  胡国锋  高波  朱彦君  李菁
作者单位:天津工业大学,理学院,天津,300160
基金项目:天津市自然科学基金(09JCYBJC04400)资助项目
摘    要:利用真空电子束蒸发技术,通过改变Al的蒸发速率在P型〈1 0 0〉晶向的单晶硅片上制备了两种不同平整度的Al膜,在草酸中对它们分别进行一次阳极氧化,研究Al膜平整度对硅基AAO(多孔硅基氧化铝)有序度的影响.结果表明,硅基AAO的有序度对Al膜的平整度有很大的依赖性,硅基Al膜的平整度越高,所获得的硅基AAO的有序度就越好.另外,对平整度较差的Al膜进行二次阳极氧化可以显著地改善硅基AAO的有序度.

关 键 词:硅基AAO(多孔硅基氧化铝)  平整度  二次阳极氧化  有序度  

Effect of Flatness of Al Film on Fabrication of AAO Template on Silicon Substrate
LI Qin,ZHANG Haiming,HU Guofeng,GAO Bo,ZHU Yanjun,LI Jing.Effect of Flatness of Al Film on Fabrication of AAO Template on Silicon Substrate[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2011,57(1).
Authors:LI Qin  ZHANG Haiming  HU Guofeng  GAO Bo  ZHU Yanjun  LI Jing
Institution:LI Qin,ZHANG Haiming,HU Guofeng,GAO Bo,ZHU Yanjun,LI Jing(School of Science,Tianjin Polytechnic University,Tianjin 300160,China)
Abstract:
Keywords:anodic aluminum oxide(AAO) on silicon substrate  flatness  two-step anodization  degree of order  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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