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| 一种新的简易共蒸Nb_3Sn膜的制备及其电子显微术(TEM)研究 | |
| 引用本文： | 张金龙,孟小凡,顾辉.一种新的简易共蒸Nb_3Sn膜的制备及其电子显微术(TEM)研究[J].低温物理学报,1987(1). |
| 作者姓名： | 张金龙 孟小凡 顾辉 |
| 作者单位： | 北京大学固体物理研究所物理系，北京大学固体物理研究所物理系，北京大学物理系 83级研究生 |
| 摘 要： | 一种新的简易共蒸发技术,成功地制备了超导化合物 Nb_3Sn薄膜,临界温度T_c为18K。用该膜为电极材料制作的Nb_3Sn-Pb隧道结,具有典型的直流I-V特性曲线并测得Nb_3Sn膜的能隙值为 3.1meV。电子显微术(TEM)观察研究表明,这种新的简易共蒸术制备的高T_cNb_3Sn膜,是单相的A15型超导化合物Nb_3Sn,具有共蒸A15型超导化合物微结构的基本特征,高分辨电子显微术(HREM)观察到大范围内(500A)Nb_3Sn的二维晶格条纹象。 |
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