YBCO薄膜双晶结DC SQUID的研制 |
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作者姓名: | 黄明强 陈烈 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所国家超导重点实验室,中国科学院物理研究 |
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摘 要: | 在优化YBCO薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Jc和结的正常态电阻Rn与结宽的关系的基础上,在角度差为28度的YSZ双晶基片上设计和制作了双晶结DC SQUID。双晶结的I-V特性基本符合RSJ模型,结宽为4μm的双晶结的正常态电阻Rn为2.4Ω,在23.4GHz微波辐射场中观察到Shaprio微波感应台阶。所研制的结宽为4μm的双晶结的DC SQUID最大电压调制深度为15μV,特征电压Ic
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关 键 词: | 双晶结 YBCO 薄膜 SQUID |
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