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STM and DFT Investigations of Isolated Porphyrin on a Silicon‐Based Semiconductor at Room Temperature
Authors:Mohamed El Garah  Younes Makoudi Dr.  Frank Palmino Prof. Dr.  Eric Duverger Dr.  Philippe Sonnet Prof. Dr.  Laurent Chaput Dr.  Andre Gourdon Dr.  Frederic Cherioux Dr.
Affiliation:1. Institut FEMTO‐ST, Université de Franche‐Comté, CNRS, ENSMM, 32, Avenue de l'Observatoire, F‐25044 Besan?on (France), Fax: (+33)?381?85?3998;2. Institut de Science des Matériaux de Mulhouse, LRC CNRS UHA, 4 rue des frères Lumière, F‐68093 Mulhouse (France);3. CEMES CNRS UPS, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347 F‐31055 Toulouse (France)
Abstract:
Keywords:density functional calculations  physisorption  porphyrin  silicon  scanning tunneling microscopy
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