| a-Se薄膜在X-ray照射下的光衰特性研究 |
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| 引用本文： | 郭震,张观明.a-Se薄膜在X-ray照射下的光衰特性研究[J].武汉大学学报(理学版),2002,48(5):597-600. |
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| 作者姓名： | 郭震 张观明 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉430072 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 3 90 5 3 2 ) |
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| 摘 要： | 依据光电导与驰豫时间成反经变化的理论，在蒸发温度为220℃的条件下用真空沉积法制行了多块厚度不同的a-Se薄膜，对其在X－ray照射下的光衰效应进行实验研究，实验结果表明a-Se薄膜在厚度较小时其灵敏度随厚度的增加而增加，在275－475μm之间时，a-Se薄膜存在极大值，实验结果对基于a-Se薄膜光电导特性的探测器的性能优化有一定的指导作用。
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| 关 键 词： | a－Se薄膜 X－ray照射 光衰特性 光衰效应 灵敏度 医学影像技术 真空沉积法 光电导 |
| 文章编号： | 0253-9888(2002)05-0597-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月11日 |
Photoelectric Attenuation Properties of a-Se Film to X-ray |
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| GUO Zhen,ZHANG Guan\|ming.Photoelectric Attenuation Properties of a-Se Film to X-ray[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2002,48(5):597-600. |
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| Authors: | GUO Zhen ZHANG Guan\|ming |
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| Keywords: | a Se photoelectric attenuation sensitivity |
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