| 缺陷黄铜矿结构Xga2S4 (X=Zn,Cd, Hg)晶体电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 焦照勇 郭永亮 牛毅君 张现周 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与电子工程学院, 新乡 453007 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目(批准号: 212104)和河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号: 2011A140010)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法对缺陷黄铜矿结构XGa2S4 (X=Zn, Cd, Hg)晶体的晶格结构、电学以及光学性质进行了对比研究. 分析比较了它们的晶格常数、键长、能带结构、态密度、介电函数、折射率和反射系数等性质, 并总结其变化趋势. 结果表明: 这三种材料的光学性质在中间能量区域(4 eV–10 eV)表现出较强的各向异性, 而在低能区域(<4 eV)和高能区域(>10 eV)各向异性较弱. ZnGa2S4和HgGa2S4两种材料的折射率曲线在等离子体频率ωp处有一明显的拐点, 反射系数在ωp处达到最大值后急剧下降. 三种晶体的强反射峰均处于紫外区域, 因此可以用作紫外光屏蔽或紫外探测材料.
关键词：
缺陷黄铜矿结构
电子结构
光学性质
第一性原理计算
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| 关 键 词： | 缺陷黄铜矿结构 电子结构 光学性质 第一性原理计算 |
| 收稿时间： | 2012-09-21 |
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