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| 基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器 | |
| 引用本文： | 王中强,张雪,齐猛,凡井波,严梓洋,李壮壮.基于HfN_x∶Zn薄膜的负微分阻变存储器[J].物理实验,2019(6). |
| 作者姓名： | 王中强 张雪 齐猛 凡井波 严梓洋 李壮壮 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理学院;东北师范大学物理学国家级实验教学示范中心(东北师范大学) |
| 摘 要： | 基于HfNx∶Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx∶Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(150ns)、优异的循环耐受性(103)、长时间保持性(85℃时105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5%/8.5%)和较低的高阻/低阻波动性(13.5%/10.1%).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |