二维拓扑材料的新进展——纯平锡烯中存在大的拓扑能隙

近年来，得益于拓扑物理理论和二维材料制备的迅速发展，以量子自旋霍尔绝缘体为代表的二维拓扑材料的研究受到热切关注^[1，2]。早在2005年前后，理论表明在二维材料体系如石墨烯^[3]和HgTe量子阱体系^[4]中由于自旋轨道耦合作用而存在拓扑量子自旋霍尔效应。然而石墨烯中的碳是轻元素，自旋轨道作用非常微弱，所以其拓扑能隙太小。HgTe由于由重元素组成，自旋轨道耦合作用较强，其拓扑量子自旋霍尔态在2007年的实验中得到验证^[5]，但仍需在很低的温度下才能得以实现。人们期望能在更高温度乃至室温下工作的具有更大拓扑能隙的量子自旋霍尔体系的发现。