| 氨基化硅藻基As(Ⅴ)印迹复合材料的制备与性能 |
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| 引用本文： | 梁效铭,钟溢健,马丽丽,李聪,杨勤桃,陈南春,解庆林.氨基化硅藻基As(Ⅴ)印迹复合材料的制备与性能[J].无机化学学报,2019,35(5):828-836. |
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| 作者姓名： | 梁效铭 钟溢健 马丽丽 李聪 杨勤桃 陈南春 解庆林 |
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| 作者单位： | 桂林理工大学材料科学与工程学院;桂林理工大学环境科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.41662005，51564008），广西科技攻关项目（桂科攻14124004-5-5），广西中青年能力项目（No.2018KY0249）和广西环境污染控制理论与技术重点实验室研究基金资助 |
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| 摘 要： | 采用硅藻作为材料载体、选取氨基丙基三甲氧基硅烷(APS)作为功能单体、As(Ⅴ)为模板离子、环氧氯丙烷(ECH)为交联剂通过表面印迹组合,制备了砷离子印迹复合材料,并将其应用于二元体系中对砷离子的选择吸附。采用扫描电镜、X射线光电子能谱、傅立叶变换红外光谱及N_2吸附-脱附实验对材料进行表征,探究了硅藻基表面印迹法的搭接方式:氨基丙基三甲氧基硅烷首先通过缩合反应脱去甲氧基,与硅藻表面的活性羟基形成了(Si-O)_3≡Si-R结构,在硅藻表面形成有效接枝,通过环氧氯丙烷与APS中的氨基交联形成印迹结合位点,从而在硅藻表面形成了具有As(Ⅴ)选择性的复合印迹孔穴。采用选择性系数法,得出离子印迹复合材料对砷离子(As(Ⅴ))的去除率为98%,相对选择性系数(k′)均大于1.5。
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| 关 键 词： | 硅藻 离子印迹 形成机理 吸附 选择性 |
| 收稿时间： | 2018/11/8 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/3/6 0:00:00 |
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