| 硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光:共掺镱的增强发光作用 |
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| 引用本文： | 朱伟君,陈金鑫,高宇晗,杨德仁,马向阳.硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光:共掺镱的增强发光作用[J].物理学报,2019(12):109-115. |
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| 作者姓名： | 朱伟君 陈金鑫 高宇晗 杨德仁 马向阳 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61721005)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 在我们以前的工作(Zhu C, Lü C Y, Gao Z F, Wang C X, Li D S, Ma X Y, Yang D R 2015 Appl.Phys.Lett.107 131103)中,利用掺铒(Er)二氧化钛薄膜(TiO2:Er)作为发光层,实现了基于ITO/TiO2:Er/SiO2/n+-Si结构的发光器件的Er相关可见及近红外(约1540 nm)电致发光.本文将镱(Yb)共掺入TiO2:Er薄膜中,显著增强了Er相关可见及近红外电致发光.研究表明,一定量Yb的共掺会导致TiO2:Er薄膜由锐钛矿相转变为金红石相,从而使得Er3+离子周围晶体场的对称性降低.此外,Yb3+离子比Ti4+离子具有更大的半径,这使TiO2基体中Er3+离子周围的晶体场进一步畸变.晶体场的对称性降低及畸变使得Er3+离子4f能级间的跃迁概率增大.由于上述原因,Yb在TiO2:Er薄膜的共掺显著增强了相关发光器件的电致发光.
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| 关 键 词： | 硅基 电致发光 掺铒二氧化钛薄膜 镱共掺 |
Electroluminescence from silicon-based light-emitting device with erbium-doped TiO2 films:Enhancement effect of ytterbium codoping |
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| Zhu Wei-Jun,Chen Jin-Xin,Gao Yu-Han,Yang De-Ren,Ma Xiang-Yang.Electroluminescence from silicon-based light-emitting device with erbium-doped TiO2 films:Enhancement effect of ytterbium codoping[J].Acta Physica Sinica,2019(12):109-115. |
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| Authors: | Zhu Wei-Jun Chen Jin-Xin Gao Yu-Han Yang De-Ren Ma Xiang-Yang |
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| Institution: | (State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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| Abstract: | Zhu Wei-Jun;Chen Jin-Xin;Gao Yu-Han;Yang De-Ren;Ma Xiang-Yang(State Key Laboratory of Silicon Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) |
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| Keywords: | silicon-based electroluminescence Er-doped TiO2 film ytterbium-codoping |
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