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| 蓝光激光器结构中InGaN/GaN多量子阱界面效应的精细光致发光光谱研究 | |
| 作者姓名： | 王滔 刘建勋 葛啸天 王荣新 孙钱 宁吉强 郑昌成 |
| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,安徽 合肥 230026 2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州 215123 3. 昆山杜克大学自然与应用科学学部,江苏 昆山 215316 |
| 基金项目： | 江苏高校青蓝工程项目;国家自然科学基金;中国科学院前沿科学重点研究计划项目;中国科学院战略性先导科技专项 |
| 摘 要： | 金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N2载气中引入适量H2,能够有效改善阱/垒界面质量从而提升发光效率.本工作利用光致发光(PL)光谱技术,对蓝光激光器结构中的InGaN/GaN多量子阱的发光性能进行了精细的光谱学测量与表征,研究了通H2生长对量子阱界面的调控... |
| 关 键 词： | InGaN/GaN多量子阱 光致发光光谱 量子限制Stark效应 载流子局域化 载流子复合寿命 |
| 收稿时间： | 2021-01-30 |
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