| 低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究 |
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| 引用本文： | 卢励吾,周洁,封松林,段树坤.低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究[J].物理学报,1994,43(5):779-784. |
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| 作者姓名： | 卢励吾 周洁 封松林 段树坤 |
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| 作者单位： | (1)北京半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所; (2)北京集成光电子学联合实验室中国科学院半导体研究所实验区 |
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| 摘 要： | 应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅｃ－０．３５ｅＶ)陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ０．４
关键词：
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| 关 键 词： | 半导体激光器 能级 汽相外延生长 |
| 收稿时间： | 7/1/1993 12:00:00 AM |
DEEP LEVEL STUDIES OF Ga1-xInxAs/InP LASERS GROWN BY LP-MOVPE |
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| LU LI-WU,ZHOU JIE,FENG SONG-LIN and DUAN SHU-KUN.DEEP LEVEL STUDIES OF Ga1-xInxAs/InP LASERS GROWN BY LP-MOVPE[J].Acta Physica Sinica,1994,43(5):779-784. |
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| Authors: | LU LI-WU ZHOU JIE FENG SONG-LIN and DUAN SHU-KUN |
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