| MoSi2表面电子结构 |
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| 引用本文： | 张海峰,黄新堂,李永平.MoSi2表面电子结构[J].物理学报,1994,43(5):803-808. |
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| 作者姓名： | 张海峰 黄新堂 李永平 |
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| 作者单位： | (1)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,华中师范大学物理系; (2)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,中国科学技术大学材料科学与工程系; (3)中国科学技术大学结构分析开放研究实验室,中国科学技术大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１b晶体结构的ＭｏＳｉ2三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果［１５］。
关键词：
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| 关 键 词： | 硅化钼 表面 电子结构 过渡元素 |
| 收稿时间： | 1993-04-26 |
THE ELECTRONIC STRUCTURE OF MoSi2(001)SURFACE |
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| ZHANG HAI-FENG,HUANG XIN-TANG and LI YONG-PING.THE ELECTRONIC STRUCTURE OF MoSi2(001)SURFACE[J].Acta Physica Sinica,1994,43(5):803-808. |
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| Authors: | ZHANG HAI-FENG HUANG XIN-TANG and LI YONG-PING |
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