| 具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构 |
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| 作者姓名： | 石艳梅 刘继芝 姚素英 丁燕红 张卫华 代红丽 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072;2. 天津理工大学电子信息工程学院, 天津 300384;3. 电子科技大学微电子与固体电子学院, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51101113);天津市自然科学基金(批准号:13JCQNJC,14JCYBJC16200)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压,同时降低器件比导通电阻,提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构.该结构具有如下特征:首先,采用了槽栅结构,使电流纵向传导面积加宽,降低了器件的比导通电阻;其次,在漂移区引入了Si O2槽型介质层,该介质层的高电场使器件的击穿电压显著提高;第三,在槽型介质层中引入了L型源极场板,该场板调制了漂移区电场,使优化漂移区掺杂浓度大幅增加,降低了器件的比导通电阻.二维数值仿真结果表明:与传统SOI结构相比,在相同器件尺寸时,新结构的击穿电压提高了151%,比导通电阻降低了20%;在相同击穿电压时,比导通电阻降低了80%.与相同器件尺寸的双槽SOI结构相比,新结构保持了双槽SOI结构的高击穿电压特性,同时,比导通电阻降低了26%.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 槽栅 比导通电阻 击穿电压 |
| 收稿时间： | 2014-06-30 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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