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碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究
引用本文:陈景东,王六定,施易军.碳纳米管电荷分布对电子发射场增强因子影响的研究[J].人工晶体学报,2008,37(2):407-411.
作者姓名:陈景东  王六定  施易军
作者单位:西北工业大学应用物理系,西安,710072
基金项目:西北工业大学校科研和教改项目
摘    要:本文通过分析碳纳米管的电荷分布规律,巧妙地将处于外电场中且端口封闭的金属性碳纳米管等效成电荷非均匀分布的球面,获得了包括端部球面电荷、管壁电荷与镜像电荷共同作用的场增强因子为β=1.14 h/R 2.62.结果表明:场增强因子是碳纳米管长径比h/R的线性函数,并与电荷分布密切相关.在此基础上,研究发现35%的管壁电荷对碳纳米管电子发射的场增强因子贡献约为9.7%,但仍远大于镜像电荷的影响.根据模型中电荷非均匀分布导致碳纳米管各处局域电场大幅度变化,解释了仅在球面的一定区域才大量发射电子且发射电流密度不均匀的实验现象.

关 键 词:碳纳米管  电荷分布  场增强因子  场发射
文章编号:1000-985X(2008)02-0407-04
修稿时间:2007年5月15日

Field Enhancement Factor of Carbon Nanotuhe Related to Charge Distribution
CHEN Jing-dong,WANG Liu-ding,SHI Yi-jun.Field Enhancement Factor of Carbon Nanotuhe Related to Charge Distribution[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):407-411.
Authors:CHEN Jing-dong  WANG Liu-ding  SHI Yi-jun
Abstract:
Keywords:
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