| GaN基紫光LED的高反射率p型欧姆接触 |
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| 作者姓名： | 张敬东 于彤军 杨志坚 阎和平 张宁 穆森 张国义 |
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| 作者单位： | 1.北京大学, 物理学院, 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 宽禁带半导体研究中心 北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60376005,60276010),国家“863”计划(2001AA313140,2001AA313060)资助项目 |
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| 摘 要： | 研究用于GaN基大功率倒装焊(Flip-chip)紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能。用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率。结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测,对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究。测量结果表明,在入射光波长为400nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍。同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性。
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| 关 键 词： | 紫光LED 氧化镓 反射率 欧姆接触 |
| 文章编号： | 1000-7032（2006）01-0069-06 |
| 收稿时间： | 2005-04-08 |
| 修稿时间： | 2005-05-17 |
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