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| 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀 | |
| 引用本文： | 谢兆雄,蔡雄伟,施财辉,毛秉伟,田昭武.隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响——控电位下的Si(111)表面的STM诱导纳米刻蚀[J].电化学,1997,3(2):132. |
| 作者姓名： | 谢兆雄 蔡雄伟 施财辉 毛秉伟 田昭武 |
| 作者单位： | 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所 |
| 摘 要： | 隧道电子和局域场对固液界面纳米区域反应的影响①——控电位下的Ｓｉ（１１１）表面的ＳＴＭ诱导纳米刻蚀谢兆雄＊蔡雄伟施财辉毛秉伟田昭武（厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室物理化学研究所化学系厦门３６１００５）扫描隧道显微技术（ＳＴＭ）目前已成为纳米加... |
| 收稿时间： | 1997-05-28 |
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