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无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结
作者姓名:靳敏 单文磊
作者单位:南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心
摘    要:
我们发展了一种简易的、无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶内禀结的新型工艺,制备过程简单,重复性好,成功率高,结面积在20μm×20μm~80μm×80μm之间.同时,我们测量了内禀结的直流I~V特性,得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流I~V特性曲线

关 键 词:高Tc 超导体 无光刻法 工艺 BSCCO 单晶内禀结
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