Ga_nN_3(n=1~8)团簇几何结构及光电子能谱的研究 |
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引用本文: | 李恩玲,朱红,李莉莎,祁伟,李小平,王进宇.Ga_nN_3(n=1~8)团簇几何结构及光电子能谱的研究[J].光子学报,2010,39(3):470-476. |
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作者姓名: | 李恩玲 朱红 李莉莎 祁伟 李小平 王进宇 |
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作者单位: | 1. 西安理工大学,理学院,西安,710054 2. 西北大学,物理系,西安,710068 |
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基金项目: | 西安市应用材料创新基金(XA-AM-200812)、西安市应用发展研究计划项目(YF07064)和西安理工大学博士启动基金(108-210904)资助 |
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摘 要: | 用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上,对GanN3(n=1~8)团簇的结构进行优化,并对体系的成键特性、光电子能谱及稳定性进行了计算与分析,得到了GanN3(n=1~8)团簇的最稳定结构.结果表明,当n≤5时,其基态几何结构为平面结构,N-N键在这些团簇的形成过程中起着决定性的作用;当n≥6时,其基态几何结构为立体结构,Ga-N键起主导作用;在所研究的团簇中,Ga4N3、Ga7N3的基态结构最稳定;随着n值的增大,平均极化率逐渐增强;通过对光电子能谱的分析,得到Ga-N键的振动频率与六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值相近.
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关 键 词: | 团簇 密度泛函理论 几何结构 光电子能谱 稳定性简体 |
收稿时间: | 2009-06-26 |
修稿时间: | 2009-11-04 |
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