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Ga_nN_3(n=1~8)团簇几何结构及光电子能谱的研究
引用本文:李恩玲,朱红,李莉莎,祁伟,李小平,王进宇.Ga_nN_3(n=1~8)团簇几何结构及光电子能谱的研究[J].光子学报,2010,39(3):470-476.
作者姓名:李恩玲  朱红  李莉莎  祁伟  李小平  王进宇
作者单位:1. 西安理工大学,理学院,西安,710054
2. 西北大学,物理系,西安,710068
基金项目:西安市应用材料创新基金(XA-AM-200812)、西安市应用发展研究计划项目(YF07064)和西安理工大学博士启动基金(108-210904)资助
摘    要:用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上,对GanN3(n=1~8)团簇的结构进行优化,并对体系的成键特性、光电子能谱及稳定性进行了计算与分析,得到了GanN3(n=1~8)团簇的最稳定结构.结果表明,当n≤5时,其基态几何结构为平面结构,N-N键在这些团簇的形成过程中起着决定性的作用;当n≥6时,其基态几何结构为立体结构,Ga-N键起主导作用;在所研究的团簇中,Ga4N3、Ga7N3的基态结构最稳定;随着n值的增大,平均极化率逐渐增强;通过对光电子能谱的分析,得到Ga-N键的振动频率与六方晶系纤锌矿结构GaN的光学声子峰值相近.

关 键 词:团簇  密度泛函理论  几何结构  光电子能谱  稳定性简体
收稿时间:2009-06-26
修稿时间:2009-11-04
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