| AlN：TbF3薄膜的电致发光 |
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| 引用本文： | 赵彦立 钟国柱. AlN：TbF3薄膜的电致发光[J]. 发光学报, 1999, 20(4): 320-324 |
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| 作者姓名： | 赵彦立 钟国柱 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院激发态物理开放研究实验室 [2]中国科学院长春物理研究所 |
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| 摘 要： | ![]()
用射频磁控反应溅射的方法，以金属Ａｌ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡｌＮ：ＴｂＦ３薄膜。研究了不同制备条件对薄膜光致光相对亮度的影响。进一步实验表明，电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度的依赖关系。在衬底温度为６００℃，ＴｂＦ３含量约为４．０ｍｏｌ％的条件下制备的ＡｌＮ：ＴｂＦ３ＡＣＴＦＥＬ器件，在交流驱动条件下，得到了Ｔｂ＾３＋离子的特征发光。
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| 关 键 词： | 电致发光 薄膜 AlN TbF3 氮化铝 氟化铽 |
ELECTROLUMINESCENCE FROM AIN: TbF_3 FILMPREPARED BY RADIO FREQUENCYMAGNETRON SPUTTERING |
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| ZHAO Yanli, ZHONG Guozhu, FAN Xiwu. ELECTROLUMINESCENCE FROM AIN: TbF_3 FILMPREPARED BY RADIO FREQUENCYMAGNETRON SPUTTERING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999, 20(4): 320-324 |
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| Authors: | ZHAO Yanli ZHONG Guozhu FAN Xiwu |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | electroluminescence thin film AIN: TbF3 |
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