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| GaP：NLEDp型层厚度的优化 | |
| 作者姓名： | 李桂英 杨锡震 |
| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心，中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室 |
| 摘 要： | 实测数据表明：ＧａＰ：Ｎ发光二极管ｐ型层厚度ｄ为１２－１７μｍ时，管芯光强最高。ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降低抽取效率。 |
| 关 键 词： | 结构优化 发光二极管 磷化镓 厚度 P型层 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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