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| 掺铒SiO_x的光致发光特性 | |
| 引用本文： | 万钧,盛篪,陆肪,龚大卫,樊永良,林峰,王迅.掺铒SiO_x的光致发光特性[J].物理学报,1998(10). |
| 作者姓名： | 万钧 盛篪 陆肪 龚大卫 樊永良 林峰 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制． |
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