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La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率
引用本文:余旻,杨宏顺,阮可青,李鹏程,李慧玲,柴一晟,曹烈兆.La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率[J].物理学报,2002,51(3):663-667.
作者姓名:余旻  杨宏顺  阮可青  李鹏程  李慧玲  柴一晟  曹烈兆
作者单位:中国科学技术大学结构分析开放实验室,物理系,合肥230026
基金项目:国家重点基础研究项目 (批准号 :G199906 46 )资助的课题~~
摘    要:测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较. 关键词: 薄膜 输运性质 热电势

关 键 词:薄膜  输运性质  热电势
收稿时间:2001-07-13
修稿时间:2001年7月13日

Study of resistivity and thermopower of La2-xSrxCuO4 thin films
Yu Min,Yang Hong-Shun,Ruan Ke-Qing,Li Peng-Cheng,Li Hui-Ling,Cai Yi-Sheng and Cao Lie-Zhao.Study of resistivity and thermopower of La2-xSrxCuO4 thin films[J].Acta Physica Sinica,2002,51(3):663-667.
Authors:Yu Min  Yang Hong-Shun  Ruan Ke-Qing  Li Peng-Cheng  Li Hui-Ling  Cai Yi-Sheng and Cao Lie-Zhao
Abstract:
Keywords
Keywords:thin film  transport property  thermopower  
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