| 升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响 |
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| 引用本文： | 刘熙,高攀,严成锋,孔海宽,忻隽,陈建军,施尔畏.升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响[J].人工晶体学报,2013,42(5):847-850. |
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| 作者姓名： | 刘熙 高攀 严成锋 孔海宽 忻隽 陈建军 施尔畏 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目 |
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| 摘 要： | 本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间；中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应；同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.
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| 关 键 词： | 碳化硅 生长速率 有限元 |
Effects of Temperature Rising Program on the Graphitization of Seed Crystal during the Initial Growth of 6H-SiC Crystal |
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| LIU Xi,GAO Pan,YAN Cheng-feng,KONG Hai-kuan,XIN Jun,CHEN Jian-jun,SHI Er-wei.Effects of Temperature Rising Program on the Graphitization of Seed Crystal during the Initial Growth of 6H-SiC Crystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(5):847-850. |
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| Authors: | LIU Xi GAO Pan YAN Cheng-feng KONG Hai-kuan XIN Jun CHEN Jian-jun SHI Er-wei |
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| Institution: | (Shanghai Institute of Ceramics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China)(Received 20 March 2013) |
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