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| 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性 | |
| 作者姓名： | 王卿璞 张德恒 薛忠营 陈寿花 马洪磊 |
| 作者单位： | 山东大学, 物理与微电子学院,山东,济南,250100 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 ( 6 0 0 76 0 0 6 ),教育部博士基金 ( 2 0 0 0 0 42 2 0 4)资助项目 |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁.并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响,且给出了解释. |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 磁控溅射 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)01-0069-04 |
| 收稿时间： | 2002-07-22 |
| 修稿时间： | 2002-07-22 |
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