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| 锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能 | |
| 作者姓名： | 王益军 王六定 杨敏 严诚 王小冬 席彩萍 李昭宁 |
| 作者单位： | 西北工业大学理学院, 西安 710129 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 50771082, 60776822,11075135)和陕西省教育厅科学研究计划项目(批准号: 09JK807)资助的课题. |
| 摘 要： | 运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命.
关键词：
锥顶碳纳米管
电子场致发射
结构稳定性
密度泛函理论 |
| 关 键 词： | 锥顶碳纳米管 电子场致发射 结构稳定性 密度泛函理论 |
| 收稿时间： | 2010-08-23 |
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