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ZnSe单晶生长及性能研究
引用本文:卢利平,刘景和,李建立,万玉春,张亮,曾繁明.ZnSe单晶生长及性能研究[J].人工晶体学报,2005,34(2):215-218.
作者姓名:卢利平  刘景和  李建立  万玉春  张亮  曾繁明
作者单位:长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022
基金项目:兵器工业集团公司项目(GDZX2003)资助
摘    要:采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70;.

关 键 词:ZnSe单晶  物理气相输运法  高压坩埚下降法  透过率
文章编号:1000-985X(2005)02-0215-04

Growth of ZnSe Single Crystal and Its Optical Properties
LU Li-ping,LIU Jing-he,LI Jian-li,WAN Yu-chun,ZHANG Liang,ZENG Fan-ming.Growth of ZnSe Single Crystal and Its Optical Properties[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(2):215-218.
Authors:LU Li-ping  LIU Jing-he  LI Jian-li  WAN Yu-chun  ZHANG Liang  ZENG Fan-ming
Abstract:
Keywords:ZnSe single crystal  physical vapor transportation method  high-pressure Bridgman method  transmittance
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