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| 1550nm低损耗单模全固态光子带隙光纤研究 | |
| 作者姓名： | 程兰 罗兴 韦会峰 李海清 彭景刚 戴能利 李进延 |
| 作者单位： | 武汉光电国家实验室, 武汉 430074 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:81100701)资助的课题~~ |
| 摘 要： | 全固态光子带隙光纤由于其独特的带隙和色散特性以及易于和传统光纤熔接的优势,引起了国内外研究人员的广泛关注.本文采用等离子体化学气相沉积工艺结合堆叠拉制法制备了全固态光子带隙光纤,并运用频域有限差分法模拟了其损耗和色散特性.该光纤1550 nm处有较低损耗且单模传输,计算得到1550 nm处的有效模场面积和色散分别为191.81μm2和16.418 ps/(km·nm),在测试范围1500—1650 nm内损耗小于0.15 dB/m.结合实验结果,对光纤参数做了进一步模拟优化. |
| 关 键 词： | 全固态光子带隙光纤 光子带隙 损耗 |
| 收稿时间： | 2013-10-10 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |