| 光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析 |
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| 引用本文： | 李培咸,孙建诚,胡辉勇.光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析[J].光子学报,2002,31(3):293-296. |
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| 作者姓名： | 李培咸 孙建诚 胡辉勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,陕西,710071 |
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| 基金项目： | 国防军事电子预研 8.5 .6 .5资助项目 |
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| 摘 要： | 本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.
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| 关 键 词： | SiGe/Si 气相反应 表面反应 |
| 收稿时间： | 2001/5/10 |
| 修稿时间： | 2001年5月10日 |
GROWTH KINETIC OF SiGe/Si PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| Li Peixian,Sun Jiancheng,Hu Huiyong.GROWTH KINETIC OF SiGe/Si PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J].Acta Photonica Sinica,2002,31(3):293-296. |
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| Authors: | Li Peixian Sun Jiancheng Hu Huiyong |
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| Institution: | Microelectronic Insitute, Xidian University, Xi’an 710071 |
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| Abstract: | The kinetic and mechanism of gas-reaction and surface-reaction in growth of SiGe/Si by photochemical vapor deposition were discussed.Based theory of surface-reaction and combining with the characteristic of photochemical vapor deposition,the relationship of growth rate and growth pressure was deduced.The compare of theory relationship and experiment result was given. |
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| Keywords: | SiGe/Si Gas-reaction Surface-reaction |
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