| 累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究 |
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| 作者姓名： | 肖尧 郭红霞 张凤祁 赵雯 王燕萍 丁李利 范雪 罗尹虹 张科营 |
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| 作者单位： | 1. 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西北核技术研究所, 西安 710024;
2. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
3. 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室（批准号：KFJJ201306）资助的课题. |
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| 摘 要： | 本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持.
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| 关 键 词： | 累积剂量 单粒子效应 静态随机存储器 反印记效应 |
| 收稿时间： | 2013-08-18 |
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