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| 掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究 | |
| 作者姓名： | 黄懋容 王蕴玉 杨巨华 何永枢 郭应焕 孙同年 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所,电子工业部第十三研究所 |
| 摘 要： | 用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型. |
| 关 键 词： | 正电子湮没 InP半导体 温度 |
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