| 择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究 |
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| 引用本文： | 尹伊,傅兴海,张磊,叶辉. 择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究[J]. 物理学报, 2009, 58(7) |
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| 作者姓名： | 尹伊 傅兴海 张磊 叶辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,300027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | ![]()
分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111) 缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲层厚度的增加,BST30薄膜的(101)取向被抑制,而(001)取向逐渐增强.利用反射率测定仪、阻抗分析仪研究了BST30薄膜的光学和电学性能. 通过改进的单纯形法拟合反射率曲线,得到了BST30及其MgO缓冲层薄膜的光学常数, 由BST30薄膜的电压-电流特性(I-V曲线),发现MgO缓冲层对BST30薄膜的漏电流有明显的阻隔作用,可以有效消除BST30膜层的p-n结效应.
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 择优取向 |
Study of structure and properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin film with prefer-orientated MgO buffer layer on the silicon substrate |
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| Yin Yi,Fu Xing-Hai,Zhang Lei,Ye Hui. Study of structure and properties of Ba0.7Sr0.3TiO3 thin film with prefer-orientated MgO buffer layer on the silicon substrate[J]. Acta Physica Sinica, 2009, 58(7) |
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| Authors: | Yin Yi Fu Xing-Hai Zhang Lei Ye Hui |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | Ba0.7Sr0.3TiO3 sol-gel |
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