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| 用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质 | |
| 作者姓名： | 吴正云 王小军 余辛 黄启圣 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金及福建省自然科学基金资助的课题. |
| 摘 要： | 采用低温光伏谱方法,研究了应变In0.18Ga0.82/GaAs单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁,并与理论计算的结果进行比较,对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析,表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系．讨论了声子关联、混晶组分起伏及生长界面不平整对光伏谱谱峰宽度的影响
关键词： |
| 关 键 词： | 低温光伏谱 铟镓砷 砷化镓 应变量子阱 |
| 收稿时间： | 1996-12-19 |
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