| BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析 |
| |
| 引用本文： | 刘家璐,张廷庆,李建军,赵元富.BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析[J].物理学报,1997,46(8):1580-1584. |
| |
| 作者姓名： | 刘家璐 张廷庆 李建军 赵元富 |
| |
| 作者单位： | (1)骊山微电子研究所; (2)西安电子科技大学微电子研究所 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 借助二次离子质谱（SIMS）技术，深入地、系统地分析了80keV，2×1015 cm-2BF2+注入多晶硅栅在常规热退火条件下，F在多晶硅栅中的分布及迁移特性．F在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制，据此成功地解释了实验结果
关键词：
|
| 关 键 词： | 二氟化硼离子 多晶硅栅 离子注入 SIMS 迁移性 |
| 收稿时间： | 1996-11-04 |
SIMS ANALYSIS OF MIGRATION CHARACTERISTICS OF FLUORINE IN BF2+ IMPLANTED POLY-Si GATE UNDER CONVENTIONAL THERMAL ANNEALING |
| |
| LIU JIA-LU,ZHANG TING-QING,LI JIAN-JUN and ZHAO YUAN-FU.SIMS ANALYSIS OF MIGRATION CHARACTERISTICS OF FLUORINE IN BF2+ IMPLANTED POLY-Si GATE UNDER CONVENTIONAL THERMAL ANNEALING[J].Acta Physica Sinica,1997,46(8):1580-1584. |
| |
| Authors: | LIU JIA-LU ZHANG TING-QING LI JIAN-JUN and ZHAO YUAN-FU |
| |
| Abstract: | Distribution and migration characteristics of fluorine in poly-Si gate on BF2+ implanted poly-Si gate with an energy of 80 keV and doses of 2×1015 cm-2 under conventional thermal annealing has been analyzed systematically and deeply by SIMS.Migration of fluorine in poly-Si gate exists not only diffusion mechanism,but also absorption and emission mechanism,and experiment results are explained successfully. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
