| 窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量 |
| |
| 引用本文： | 吴良津,刘坤,褚君浩. 窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量[J]. 物理学报, 1997, 46(5): 964-968 |
| |
| 作者姓名： | 吴良津 刘坤 褚君浩 |
| |
| 作者单位： | (1)福州大学电子科学与应用物理系; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
| |
| 摘 要： | 运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性关键词：
|
| 关 键 词： | 半导体 窄禁带 价带 导带 共振缺陷态 |
| 收稿时间： | 1996-07-24 |
| 修稿时间： | 1996-09-08 |
MEASUREMENT OF RESONANT DEFECT STATES IN NARROW GAP SEMICONDUCTORS |
| |
| WU LIANG-JIN,LIU KUN and CHU JUN-HAO. MEASUREMENT OF RESONANT DEFECT STATES IN NARROW GAP SEMICONDUCTORS[J]. Acta Physica Sinica, 1997, 46(5): 964-968 |
| |
| Authors: | WU LIANG-JIN LIU KUN CHU JUN-HAO |
| |
| Abstract: | By using a newly developed measuring technique,i.e. the quantum capacitance spectroscopy,resonant defect states were observed in the valence band and the conduction band of narrow gap semiconductor InSb and HgCdTe materials. On the basis of a developed experimental model,the properties of the resonant defect states are investigated. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
