| ZnGeP2晶体2～2.5μm点缺陷研究 |
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| 作者姓名： | 方声浩 谢华 杨顺达 庄巍 叶宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大项目(51890862) |
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| 摘 要： | ZnGeP2晶体在2～2.5μm有几个吸收峰,GeZn及VZn这两种点缺陷对此波段吸收峰产生影响.利用实验与模拟计算相结合方法进行研究,首先通过理论计算的方法确定了理想ZnGeP2晶体的电子本征吸收和自由激子吸收引起的吸收位能量大于1.85eV区间,对应的波长小于670 nm.其次通过实验的方法采用过量0.5at;Ge的非化学计量配比,生长出了有大量的GeZn缺陷的晶体,再在富P的环境下退火.通过与化学计量比生长的ZnGeP2晶体吸收谱对比分析得知:2～2.3μm的吸收峰主要是GeZn缺陷产生的,2.4μm以后的吸收峰为VZn点缺陷产生.最后基于密度泛函理论,运用VASP软件包来进行第一性原理计算,验证了这一结论.
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| 关 键 词： | ZnGeP2 GeZn点缺陷 VZn点缺陷 红外吸收谱, |
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