| 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线 |
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| 引用本文： | 王汐璆,庄文昌,张凯惠,付博,贾志泰,罗新泽.化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J].人工晶体学报,2019,48(12):2174-2178. |
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| 作者姓名： | 王汐璆 庄文昌 张凯惠 付博 贾志泰 罗新泽 |
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| 作者单位： | 徐州工程学院化学化工学院,徐州 221111;伊犁师范大学化学与环境科学学院,伊宁 835000;徐州工程学院化学化工学院,徐州,221111;太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;伊犁师范大学化学与环境科学学院,伊宁,835000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21703194);国家重点研发计划(2018YFB0406502);徐州市推动科技创新专项资金项目(KC17080) |
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| 摘 要： | β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定巨可靠,近年来受到了极大的关注.本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制.其中遵循 VLS 生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230～260 μm,直径约为150～180 nm,巨Ag颗粒皆在纳米线顶部.
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| 关 键 词： | 氧化镓纳米线 纳米银颗粒 化学气相沉积法 |
Preparation of Ga2O3 Nanowires by Chemical Vapor Deposition |
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| WANG Xi-qiu,ZHUANG Wen-chang,ZHANG Kai-hui,FU Bo,JIA Zhi-tai,LUO Xin-ze.Preparation of Ga2O3 Nanowires by Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Synthetic Crystals,2019,48(12):2174-2178. |
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| Authors: | WANG Xi-qiu ZHUANG Wen-chang ZHANG Kai-hui FU Bo JIA Zhi-tai LUO Xin-ze |
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