| 光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究 |
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| 引用本文： | 戴显英,胡辉勇,张鹤鸣,孙建诚.光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究[J].光子学报,2003,32(4):509-512. |
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| 作者姓名： | 戴显英 胡辉勇 张鹤鸣 孙建诚 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.
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| 关 键 词： | 超高真空 紫外光 化学汽相淀积 SiGeHBT |
| 收稿时间： | 2002/9/17 |
| 修稿时间： | 2002年9月17日 |
Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD |
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| Dai Xianying,Hu Huiyong,Zhang Heming,Sun JianchengMicroelectronics Institute,Xidian University,Xian ,China.Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD[J].Acta Photonica Sinica,2003,32(4):509-512. |
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| Authors: | Dai Xianying Hu Huiyong Zhang Heming Sun JianchengMicroelectronics Institute Xidian University Xian China |
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| Institution: | Dai Xianying,Hu Huiyong,Zhang Heming,Sun JianchengMicroelectronics Institute,Xidian University,Xian 710071,China |
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| Abstract: | A novel CVD system called U3CVD(Combination of UVCVD?UHVCVD and ULPCVD technique), is introduced. The SiGe materials and SiGe HBT materials are grown by U3CVD at low temperature of 450℃, background of ultra high vacuum of 10-7Pa, and ultra low pressure. The SiGe HBT materials have excellent performance. |
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| Keywords: | UHV(Ultra High Vacuum) UV(Ultraviolet) CVD(Chemical Vapor Deposition) SiGe HBT |
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