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激光二极管抽运的Nd:YVO4GaAs被动调Q激光器研究
作者姓名:李平 王继扬 等
作者单位:[1]山东大学光学系,济南250100 [2]山东大学晶体材料研究所,济南250100
摘    要:报道了激光二极管抽运Nd:YVO4半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下,输出调Q脉冲的宽度,能量及冲重复率。在抽运功率为4W时,得到了脉宽为30ns、能量为8μJ、重复率为60KHZ的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论。

关 键 词:激光二极管抽运 Nd:YVO4激光器 GaAs 被动调Q 砷化镓 半导体材料 全固态激光器
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