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| Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究 | |
| 作者姓名： | 胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京 100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.
关键词：
离子注入
InAs/GaAs量子点
光致发光
团簇 |
| 关 键 词： | 离子注入 InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇 |
| 文章编号： | 1000-3290/2007/56(08)/4930-06 |
| 收稿时间： | 2006-12-01 |
| 修稿时间： | 2007-02-08 |
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