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Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

作者姓名：	强亮生朱春城

摘要：	选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。
关键词：	掺杂热释电性晶体生长硫酸三甘肽铁电体
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