| 反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性 |
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| 引用本文： | 吴现成,王印月.反应溅射a-SiCxNy∶H薄膜特性[J].物理学报,1999,48(1):134-139. |
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| 作者姓名： | 吴现成 王印月 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州 730001;兰州大学物理系，兰州 730001 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：69676005)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiCxNy∶H)，通过红外透射谱(IR)，光吸收谱［α(λ)］，电子自旋共振谱(ESR)和电导率(σ)等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性.在固定甲烷流量γCH4=3%，氢气流量γH2=12%的情况下，改变氮气流量γN2=(0—14)%，综合研究了暗电导率σd<
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| 收稿时间： | 1998-03-26 |
PROPERTIES OF a-SiCxNy |
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| WU XIAN-CHENG and WANG YIN-YUE.PROPERTIES OF a-SiCxNy[J].Acta Physica Sinica,1999,48(1):134-139. |
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| Authors: | WU XIAN-CHENG and WANG YIN-YUE |
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