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电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶的赝能隙行为研究
作者姓名:余旻  杨宏顺  柴一晟  李鹏程  李明德  曹烈兆
作者单位:中国科学技术大学结构开放实验室,物理系,合肥230026
基金项目:国家重点基础研究项目 (批准号 :19990 64 6)资助的课题~~
摘    要:测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型 关键词: 电子型超导体 热电势 赝能隙

关 键 词:电子型超导体  热电势  赝能隙
收稿时间:2001-11-23
修稿时间:2001-11-23
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